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| 研究方向 |
电子薄膜与集成器件是指将传统的电子信息材料薄膜化，直至纳米化，利用其特殊的电、磁、光、声、热、弹等物理效应，并与半导体微电子技术结合，通过物理建模—计算模拟—结构设计与薄膜工艺方法—微器件加工—SoC微系统之间研究方法的融合和学科的交叉，研制出新型小型化和阵列化的电子元器件，以保证和增强电子系统在小型化的基础上实现高灵敏、宽频带、大功率和轻便灵巧等功能。
根据目前国际上电子薄膜与集成器件领域中主要涉及的科学问题，以及我国电子信息领域的需求牵引，并结合本重点实验室的研究特色，重点研究方向如下：
（1）磁电薄膜与微型器件
通过铁电薄膜和软磁薄膜材料的制备平台、电磁性能检测平台、微结构分析与表征平台建设，建成国内一流、具有国际水平的电子功能薄膜材料和元器件研究基地。通过电子薄膜材料的生长和界面控制理论与方法、电磁特性与纳米尺度效应及现象、微区检测与表征方法以及新型电子元器件（非致冷红外焦平面探测器、介质移相器、滤波器、FRAM、MRAM、磁光器件）的创新性基础和应用基础研究，出标志性成果，出杰出人才，形成创新群体。
（2）电子聚合物与微结构传感器
通过敏感材料（电子聚合物、敏感复合物、敏感金属）、传感器（物理敏传感器、化学传感器、生物敏传感器）、二次仪表（敏感探头、传感检测仪表、变送测试仪）、系统工程（传感检测系统、自检系统、智能系统）的研究平台建设和应用基础性研究工作，取得一批具有国内领先、国际先进水平的科研成果，促进多学科的交叉和发展，使新兴学科—敏感电子学得以充实，在电子聚合物与微结构传感器方面成为能够代表国家学术水平研究开发基地。
（3）功率半导体器件及集成技术
充分利用功率半导体器件与智能功率集成技术学科方向在全国的优势地位，以前期成果“新耐压层结构功率器件与全兼容新型耐压层横向功率器件结构”为基础，研究新结构功率半导体器件，开展SOI功率半导体器件的创新研究，向单片包含信息处理、存贮、功率输出的系统集成芯片（SoC）发展。加强功率半导体器件技术设计、测试、分析平台建设，建成国内领先、国际先进的功率半导体器件技术研究基地。培养一批优秀人才，形成创新群体。在基础研究的基础上，做好产业化工作，促进我国功率半导体产业的发展。
围绕上述研究方向，主要涉及的基础科技问题是：
● 电子薄膜生长控制的理论与方法，尺度效应与规律，微区分析与表征。
● 集成器件制备中功能薄膜/半导体结构复合、电磁兼容，配置电路设计与工艺，微细加工方法与检测技术。
实验室将结合上述主要方向，紧密围绕国家在IT领域的战略目标，面向国际竞争，增强在电子信息材料与新型电子元器件学科中的创新能力和获得自主知识产权的能力。致力于新型电子薄膜与集成器件的薄膜化和集成化两个核心问题的研究和开发，特别是：
● 瞄准国际上有影响的、重大的、能引起变革性的研究主题开展工作。如电子薄膜生长动力学理论、纳米尺度现象及效应，自旋电子调控输运，“纳米结”量子隧穿等；
● 倡导向微电子、光电子、纳电子等领域的交叉渗透，加强在介电、磁性、电子聚合物、半导体等已有优势学科方向结合，以固态SoC带动薄膜和器件的研究，促进材料－器件－微电子技术的集成；
● 坚持需求与发展并举，理论与实践并重，重点开展铁电、软磁、电子聚合物、半导体等典型电子材料的基础研究，解决薄膜化工艺、微结构表征、微弱电磁性能测试以及集成技术所涉及的基础科学与技术问题，同时针对其在高灵敏、远距离、宽频带、大功率、微型化集成器件中的应用基础研究，直接推动研究成果在相关电子行业和国家安全领域中的应用。
上述重点研究方向之间存在密切的关联，由于涉及相同的薄膜生长与结构控制的理论问题，因而相关基础研究成果可以互为借鉴；由于普遍采用半导体平面工艺实现器件的集成，因而需要解决涉及薄膜沉积、界面扩散、晶化及氧化、光刻、电极等方面相同的工艺和技术问题；另外还涉及相同的系统问题，将普遍借助半导体单片集成技术实现电子薄膜的驱动电路及信号转换、读取、存贮、处理电路的配置。实验室倡导和鼓励跨研究方向的学术融合，扩展研究领域，寻求新的突破点，促进材料－器件－微电子技术的交叉和集成。
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